事实上，这种现象并不是指硅基芯片达到一纳米的时候才出现的效应。
在之前芯片达到20纳米的时候，硅基芯片就曾经出现过这种漏电现象。
只不过后来包括台积电等一些芯片制造厂家通过工艺上的改进之后才改善了这种问题。
后面到了7纳米到5纳米之间的时候，这种现象再次出现，而ASML则通过发明了EUV光刻机，这大幅提升了光刻能力，才解决了这一问题。
但未来随着芯片工艺越来越小，当传统的硅基芯片达到2纳米的时候量子隧穿效应导致的各种问题会逐渐暴露出来。
到了一纳米的迹象，即便一些芯片厂家能够突破这个大关，但整体的芯片性能理论上来说就不会优良，甚至会不会太稳定，有可能出现各种问题。
或许在这一过程中，科学家会想各种办法来解决这个问题。
但硅基材料本身的限制就在那里，它的发展潜力是有限的。
而寻找一种代替性的材料，亦或者发展其他发现的计算机，是芯片和计算机行业一直在做的事情。
量子芯片与量子计算机毫无疑问的是未来发展线路中占比最重要的一条。
在这方面，哪怕是有着最大可能性代替硅基芯片的碳基芯片，其重要性也略输一筹。
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