不仅仅是可以在同样大小的芯片上容纳更多的晶体管，提供更强的计算和处理能力，降低功耗和热量的产生，提高电池续航时间和设备的可靠性等等。
七纳米及以下的芯片在设计材料、工艺等各方面都有巨大的改变。
比如在芯片的水平阵列中采用环栅（GAA）纳米线，在7纳米这个节点时，就不可避免要采用隧道FET和III-V族元素沟道材料和垂直纳米线来完善。
而7纳米以上的工艺则不需要这些。
说起来，芯片的发展和设计制造，其实就像是一栋楼的楼梯。
从高层逐渐往下走，每下降一点就走下一个台阶，就意味着解决一个问题。
而到了28纳米、14纳米、7纳米、5纳米、3纳米、2纳米这些楼层，就意味着你到了对应楼层的转折处。
能支撑你往下继续走的，不仅仅是某一个问题的解决，而是某一系列，甚至更多的问题解决。
光源、材料、EDA、设计等等各方面，全都要突破才能继续往下沉。
比如光源，不同的光波长不同，能够进行曝光尺度也不同，而在芯片领域，随着微电子制造工艺的不断进步，芯片晶体管的尺寸越来越小，对器件结构的要求越来越高，就需要更高分辨率和更精细的曝光图案。
稍微关注一点这块的人，目前市面上的光刻机大体上分为DUV和EUV。
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