只不过因为前面天量的投资，使得Nikon和明知道157nm的DUV很有可能已经做到了这一方向的制程极限，然而那句话‘超前一步是天才，超前几步是疯子’的箴言，他们显然都很信奉，却依然在拼命的豪赌。
原因很简单，只有这么做他们才能依然保持着行业垄断，同时收回前期投入的几十亿美元的资金。
这个情况就像现在的个人便携式音乐播放器市场，他们不是不明白新技术的优势和代表着产品的未来方向。
而是不愿意新技术现在就在市场上蚕食他们的份额，更不愿意一切重来的推倒炉灶。
而且即使在研发157nm的DUV光刻机的时候，这两家公司也在多电子束，离子流技术，甚至浸没式光刻技术光刻技术，等等研发领域悄悄的组建了研究机构，并且大量的提前申请布局专利壁垒。
就比如在三年前的99年3月16日，Nikon公司就向专利局提交了浸没式光刻技术专利申请，专利名称是“Projeexposuremethodandsystem”。该PCT国际公开日是99年9月30日，国际公开号：WO99/49504。
可以说是相当的鸡贼。
包括和ASML合作的麻省理工学院（MIT）林肯实验室，也在157nmDUV上努力的给ASML助力。
不过他们研究的方向有别于Nikon和在纯氮气中进行157nm光波雕刻，而是选择了离子水（纯化水）状态下的157nm浸没实验。
这个实验大致和Nikon的浸没式光刻技术专利差不多，都是研究在纯净水状态下157nmDUV的雕刻性能。
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