不过就在这时，针对碳基芯片技术突破的质疑，犹如雨后春笋一般冒了出来。
而首先提出相关质疑的，是世界著名的半导体技术与科学杂志《JSTS期刊》。
该期刊的旨在为从事更广泛集成电路技术的研发人员提供一个论坛和交流讨论的地方，提高整体超大规模集成电路技术。
JSTS的主编在对外接受采访的时候表示，《探索》上公开的两篇论文可能存在严重的问题。
他们联合了米国加州理工大学半导体领域的顶尖大牛霍布斯·韦伯斯特教授一起研究了《探索·总刊》，发现上面公开的数据存在着异常情况。
比如《探索·总刊》公开的实验数据中，碳基芯片的热设计功耗TDP仅仅只有30W，而主频却高达5.8GHz
即便是碳基材料在半导体领域有着优势，但按照数据推算，成品碳基芯片也不可能达到如此夸张的性能数据。
为此，他们还给出了完整的模拟计算数据和性能，按照每平方毫米集成一千万颗碳基晶体管的数据，模拟出来的碳基芯片在性能上仅仅只有论文上的一半不到。
简而言之，《探索·总刊》上公开的论文上的实验数据，可能存在编造和夸大的情况。
不得不说，在半导体领域，《JSTS期刊》的影响力还是相当大的，当这篇采访报道出来的时候，立刻就在半导体技术与科学论坛上掀起了不小的讨论。
在不少从事硅基半导体产业研究的学者或科研人员看来，加州理工大学霍布斯·韦伯斯特教授公开的这份模拟数据的确很有意思。
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