毕竟碳基芯片在实现量产前，仍需攻破纯度、取向角和密度等各种难点，并且在制备大面积均匀的T阵列薄膜方面也存在极高的难度。
甚至不少顶级的材料学专家或半导体领域的尖端工程师，对于碳基芯片都抱有迟疑的态度，甚至是认为这是短时间根本就做不到的技术。
然而就是这样一项充满争议的技术.现在有人站出来告诉全世界他们做到了！
而且站出来的这个人还不是别人，是如今学术界的第一人，那位曾解决了可控核聚变技术的徐川教授。
诺贝尔奖与菲尔茨奖双奖得主，霍奇猜想、NS方程、杨·米尔斯存在性和质量间隙难题，可控核聚变技术、锂枝晶难题、常温超导材料.
如此之多的荣誉和光环，随便从他过去所解决的问题中挑出来一个，那都是奇迹和史诗般的存在，足以亮瞎无数人的眼睛。
更关键的是，以这位大佬的性能，如果是在某一项工作上没有明确肯定的突破，做到了万无一失的程度，那么他基本不会对外公开发声。
虽然说华国在芯片领域的确紧缺，也落后于西方不少年。
但以那位徐教授的性格，如果不是真的在碳基芯片领域做出了真实的突破，那么他是不可能站出来表态的。
如果碳基芯片的突破，真的是以这位大佬的亲手完成的
那么对于如今掌控半导体产业的西方利益集团而言，说是天直接塌了都不为过。
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