这样的芯片，如果性能真的像这位英伟达的总裁所说的一样，那它的确是一枚超级芯片！
众所周知，尽管随着技术的进一步提升，原本因量子遂穿效应而限制的7纳米工艺如今虽然已不再是限制硅基芯片的门槛。
但5纳米的芯片制备工艺依旧是大部分代工厂的工艺极限，而5纳米之下的3芯片，仅有少部分的厂商，比如台积电、三星等少数顶尖晶圆代工厂能够生产。
尤其是到了3纳米，2纳米进程后，硅基芯片面临的问题众多。
无论是材料本身的限制，还是量子遂穿效应对电子的影响越来越大，都是困扰硅基芯片性能高速发展的再想在芯片制程上下功夫提升芯片的性能已经很困难。
比如尽管台积电在3纳米采用的GAAFET全环绕栅极晶体管技术，虽然的确减少了电能泄漏，提高了芯片的性能和功效。
但与5nm工艺相比，2nm工艺在保持相同能耗和复杂度的前提下，性能提升也只有10%-15%左右而已。
而英伟达打造的这枚全新的BckwellUltraAI芯片，相对比他们此前生产的5纳米芯片来说，却是可以提供高达的30倍的性能提升。
虽然说芯片的性能远远不能单纯的看倍数，毕竟这是一枚专门为AI和大数据打造的芯片，在大语言模型（LLM）推理负载上肯定会更优秀。
但能够基于HBM4记忆芯片的基础，这枚全新的BckwellUltraAI芯片，也完全可以称得上是黑科技了。
看着台下听众脸上一片震撼的神情，感受着那窸窸窣窣嘈杂的讨论声，黄仁勋脸上浮现出一抹自豪的笑容。
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