“当然。”赵光贵点了点头。
“带我们去看看吧。”徐川迅速说道。
“好的，请跟我来。”
赵光贵应了一声，带着两人朝着另一间实验室走去。
在年底的时候，碳纳米管每平方毫米的面积集成数量突破了百万级后，材料研究所这边便联合了华威的海思、中芯国际、北大的碳基电子学研究中心的等芯片领域的企业和高校，利用成品的衬底去对其进行晶体管集成化。
国内在顶尖的低纳米硅基芯片上虽然有所不足，但是次级芯片上的研发制备上是有着完整体系的。
海思在芯片设计领域的设计能力，中芯国际的完整工艺制造能力，北大碳基电子研究中心的碳芯研究，再加上星海研究院的碳基衬底和高密度碳纳米管排列技术。
一套近乎完整的碳基芯片研发、设计、制备、生产流程就这样拼凑出来了。
在材料研究所这边提供了数十块每平方毫米集成了百万级碳纳米管的碳化硅衬底后，就春节期间，半个月的时间，中芯国际目前已经制备出来了集成了数百万枚‘MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管’和‘JFET结型场效应管’的碳基芯片。
‘MOSFET管’和‘JFET管’是芯片中的最主要，也是最基础的晶体管。
前者利用金属、氧化物和半导体的结构，通过栅极电压的变化来控制半导体表面的电子积累或耗尽，从而控制源极和漏极之间的电流。
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