徐川笑了笑,道:“没什么不可能的,如果说这些碳纳米管道与底层衬底形成了掺杂,产生了类似于集成芯片中半导体门的结构,这些差异是可以说得通的。”
闻言,赵光贵一脸惊诧的看了过来,忍不住询问道:“您是说这些试样表面若存在电位分布的差异,比如类似半导体的P-N结、加偏压的集成电路等机构,其局部电位的差异影响到了二次电子的轨迹和强度。”
徐川点了点头,道:“嗯,目前来说这个猜测最有可能解释这种能量与衬度差距。”
“嘶~”
赵光贵倒吸了口凉气,惊讶的说道:“如果是这样,这极有可能是一块天然的碳纳米管集成板?”
盯着手中的实验数据报告文件,徐川思忖着开口道:“不否认这种可能性,不过它是天然碳纳米管集成电路板的可能性在我看来还是很低的。”
“嗯?”
闻言,赵光贵和实验室中的其他两名研究员都投来了诧异疑惑的目光。
按照HAADF成像上的数据来看,这是非常明显的电位衬度差距,而一般来说这种差异通常只会出现在半导体上。
因为半导体具有局部电位差,在正电位区域,二次电子好像被拉住不易逸出,因此在这些区域,二次电子产额较少,图像上显得较暗;
相反,在负电位区域,二次电子易被推出,产额较高,在图像上显得较亮,这就是电位衬度。
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