将ATLCE探测器的原始实验数据交给陈正平去处理后，徐川马不停蹄的赶回了魔都。
核能项目第二阶段的半导体材料研发已经到了关键节点，他得回去主持大局，加快速度做出来。
毕竟现在已经到了农历十二月中旬，再有几天的时间就过小年了。
等过完小年，实验室也差不多就该放年假了。
......
魔都，科学院原子核研究所中，徐川带着白色的聚酯手套，操控着眼前的离子注入机将设备中的金属离子材料的送入了ALD气相沉积仪中。
这是制造半导体材料中很关键的一步，为半导体基底注入杂质。
当然，这个杂质并非我们传统概念中的杂质，它有些类似于我们手机中使用的半导体硅基芯片。
众所周知，半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。
它的导电性可控，容易受到微量杂质和外界条件的影响而发生变化。
往里面掺杂磷、砷、镓等不同电阻的材料可以让其形成NP极，作为控制电荷开关的门。
这是半导体材料的核心基础。
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